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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTLJS4114NT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R

内部编号

277-NTLJS4114NT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

 数量:2000
10+¥2.052
20+¥2.033
100+¥2.014
200+¥1.995
400+¥1.9665
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

#2

 数量:15000
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

#3

 数量:3543
1+¥4.1026
10+¥3.1795
100+¥2.0513
1000+¥1.641
3000+¥1.3881
24000+¥1.2786
45000+¥1.2308
最小起订量:1
美国加州
当天发货，1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

NTLJS4114NT1G产品详细规格

规格书 NTLJS4114NT1G datasheet 规格书
NTLJS4114NT1G datasheet 规格书
NTLJS4114NT1G datasheet 规格书
NTLJS4114N
NTLJS4114NT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 13nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 650pF @ 15V
功率 - 最大 700mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-WDFN (2x2)
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated 80-4-5

NTLJS4114NT1G系列产品

型号厂家产品描述
NTLJS1102PTAG ON Semiconductor MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
NTLJS1102PTBG ON Semiconductor MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
NTLJS2103PTAG ON Semiconductor MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
NTLJS2103PTAG rochester electronics
NTLJS2103PTBG on semiconductor Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
NTLJS2103PTBG/BKN on semiconductor Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
NTLJS3113PT1G on semiconductor Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN T/R
NTLJS3113PT1G rochester electronics
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